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全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、光學(xué)薄膜、傳感器等領(lǐng)域。該系統(tǒng)利用高能離子束轟擊靶材，通過(guò)物質(zhì)濺射的方式，在基材表面沉積薄膜。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)的基本原理：1.氣體離子化：在高真空環(huán)境中，惰性氣體（如氬氣）被導(dǎo)入腔體，施加高頻電壓形成等離子體，使氣體部分離子化。2.離子加速：離子被電場(chǎng)加速并朝向靶材運(yùn)動(dòng)。3.靶材濺射：高速運(yùn)動(dòng)的離子與靶材發(fā)生碰撞，使靶材表面原子獲得足夠的能量，從而逸出表面，形成濺射物質(zhì)。4.薄膜沉積：濺射出的原子在腔體...

磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，廣泛應(yīng)用于薄膜材料的制備。其基本原理是利用高能粒子轟擊靶材，導(dǎo)致靶材原子或分子逸出，并在基材表面沉積形成薄膜。該過(guò)程通常在真空環(huán)境中進(jìn)行，以確保沉積過(guò)程中的純凈和無(wú)污染。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)的部分組成：1.真空腔體：作為整個(gè)濺射過(guò)程的核心部分，真空腔體配備有高效的抽真空系統(tǒng)，確保低壓環(huán)境。2.靶材和基材架：靶材通常采用高純度的金屬或合金，根據(jù)不同的沉積需求選擇；基材架則負(fù)責(zé)固定待涂覆的基材，確保在濺射過(guò)程中的穩(wěn)定性。3.磁場(chǎng)系統(tǒng)：...

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法（TOF-SIMS）是一種高度靈敏的表面分析技術(shù)，可揭示樣品頂部幾個(gè)原子層的質(zhì)譜數(shù)據(jù)。Kore很榮幸成為InnoviaFilms的TOF-SIMS供應(yīng)商，InnoviaFilms是一家材料科學(xué)公司，為包括標(biāo)簽、包裝以及錢(qián)幣在內(nèi)的各種產(chǎn)品生產(chǎn)基礎(chǔ)膜。InnoviaFilms與Kore接洽，要求研究其高度差異化的雙向拉伸聚丙烯（BOPP）薄膜的不同表面處理。Kore設(shè)計(jì)的SurfaceSeer儀器成為Kore后續(xù)TOF-SIMS儀器的基礎(chǔ)，并為Innovia...

便攜式飛行時(shí)間質(zhì)譜儀（PortableTime-of-FlightMassSpectrometer,TOF-MS）是一種高靈敏度、高分辨率的分析工具，廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、食品安全、藥物檢測(cè)、軍事安全等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)室質(zhì)譜儀相比，具有體積小、重量輕、操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)，使其能夠在現(xiàn)場(chǎng)快速進(jìn)行分析和檢測(cè)。便攜式飛行時(shí)間質(zhì)譜儀的工作原理：1.樣品離子化：樣品先通過(guò)離子化源被轉(zhuǎn)化為離子。常見(jiàn)的離子化方法包括電噴霧離子化（ESI）、基質(zhì)輔助激光解吸/電離（MALDI）和化學(xué)離子化（CI...

全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)是現(xiàn)代薄膜材料制備技術(shù)中一種重要的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、超導(dǎo)材料和光學(xué)薄膜等領(lǐng)域。此系統(tǒng)以其高效率、高均勻性和良好的膜層特性而受到重視。通過(guò)精確的控制技術(shù)，自動(dòng)化濺射過(guò)程使得膜層的性能更為穩(wěn)定并可重復(fù)，大幅提高了生產(chǎn)效率。全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)組成：1.真空腔體：提供低壓環(huán)境，通常采用不銹鋼或鋁合金制作，具有很好的密封性與耐腐蝕性。2.靶材：用于濺射的材料，常見(jiàn)的有金屬、合金或化合物。靶材的選擇直接影響薄膜的成分和性能。3.磁控裝置：通過(guò)調(diào)整磁場(chǎng)的...

全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，廣泛應(yīng)用于微電子、光電器件及MEMS（微電機(jī)械系統(tǒng)）等領(lǐng)域。ICP（感應(yīng)耦合等離子體）刻蝕技術(shù)以其高效率、高選擇性和良好的均勻性而受到青睞。ICP刻蝕是一種利用感應(yīng)耦合等離子體產(chǎn)生高密度等離子體，并通過(guò)對(duì)其進(jìn)行控制來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的去除過(guò)程。在該技術(shù)中，氟化氣體等化學(xué)試劑通過(guò)噴嘴進(jìn)入反應(yīng)室，與等離子體中的電子和離子發(fā)生碰撞，形成活性物種，在材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)刻蝕。全自動(dòng)ICP刻蝕系統(tǒng)的部分組成：1.反應(yīng)室：用于進(jìn)行刻蝕反...