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兆聲清洗機不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。兆聲清洗機的操作規(guī)程：1、遵守鑄造設(shè)備通用操作規(guī)程。2、工作前還必須遵守：a、檢查管路系統(tǒng)有無漏氣漏水的情況，如有這種情況，應(yīng)通知維修人員修理。b、檢查清洗...

ICP刻蝕機是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物(如GaAs，InP，GaN，InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。ICP刻蝕機的工作原理：感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡稱ICPE)是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是...

硅片清洗機可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。硅片清洗機應(yīng)用：帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗CMP處理后的晶圓片清洗晶圓框架上的切粒芯片清洗等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗帶保...

進口光學(xué)鍍膜機主要用途及應(yīng)用范圍：主要用于鍍制增透膜、帶通膜和截止膜等各種膜系，能夠?qū)崿F(xiàn)100層膜的超大型膜系鍍膜，也能滿足在樹脂鏡片上鍍制各種顏色的增透膜以及在太陽鏡片上鍍制紅、黃、藍、綠等顏色的反光膜，適用于大批量鍍各種高質(zhì)量的光學(xué)膜和鋁膜,還適用于裝飾品的鍍膜，如七彩等顏色。進口光學(xué)鍍膜機產(chǎn)品優(yōu)點及特點：?配置電子束及電阻蒸發(fā)系統(tǒng)；?電子槍在整個蒸發(fā)過程中膜料表面平整，蒸發(fā)分布均勻；?配置石英晶體膜厚控制儀可實現(xiàn)成膜速度和鍍膜過程的自動控制；?配置大功率離子源，保證膜層...

掩模板清洗機是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個基片上的分布。掩模板清洗機技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的大化支持理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍...

熱真空試驗箱測試系統(tǒng)，用于極真空及可控均勻的加熱和冷卻循環(huán)套件下測試器件或樣品。該系統(tǒng)具有計算機控制、安全連鎖，以及多級密碼授權(quán)訪問保護的功能。它可以用于超過24小時的圈子全自動熱、冷循環(huán)情況下測試器件/樣品，溫度條件通過程序定義。該系統(tǒng)通常的應(yīng)用之一是太空模擬。熱真空試驗箱腔體的大致尺寸為：直徑24"，長度43"。帶有一個16"x32"的滑動加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個平臺的溫度均勻度可達/-1...

NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。目前，這項技術(shù)延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成...

進口ALD設(shè)備原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。進口ALD設(shè)備特點：占地面積小計算機控制，Labview軟件全自動工藝控制360A厚的...